FF400R33KF2C Infineon 모듈로 에너지 솔루션을 최적화하십시오

Jan09

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Infineon의 FF400R33KF2C는 고출력 애플리케이션을 위해 제작 된 강력한 IGBT 모듈입니다.최대 3300V 및 400A를 처리하여 산업 드라이브, 재생 에너지 및 전기 자동차와 같은 시스템에 신뢰할 수 있고 효율적입니다.빠른 전환, 강력한 단락 보호 및 우수한 열 관리를 통해 어려운 작업을 위해 설계되었습니다.

1. FF400R33KF2C 설명

2. FF400R33KF2C 응용 프로그램

3. FF400R33KF2C 회로 다이어그램

4. FF400R33KF2C 절대 최대 등급

5. FF400R33KF2C 포장 치수

6. FF400R33KF2C 장점 및 단점

7. FF400R33KF2C 대안

8. 결론

FF400R33KF2C 설명

그만큼 FF400R33KF2C Infineon은 고전압 및 전류가 필요한 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 IGBT 모듈입니다.최대 수집기-이미 터 전압 3300V와 80 ° C 사례 온도에서 400A 등급의 전류를 특징으로하므로 고출력 시스템에 이상적입니다.낮은 포화 전압 (25 ° C에서 3.4V)은 최소 전도 손실을 보장하는 반면 빠른 스위칭 속도는 효율적인 고주파수 작업을 지원합니다.최대 2000A의 강력한 단락 공차와 ALSIC베이스 플레이트 및 ALN 절연으로 제공되는 우수한 열 관리를 통해이 모듈은 중요한 환경에서도 신뢰성을 보장합니다.FF400R33KF2C는 산업 드라이브, 풍력 및 태양 광 발전과 같은 재생 에너지 시스템 및 전기 자동차에 널리 사용됩니다.

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FF400R33KF2C 응용 프로그램

• 산업 드라이브 : 효율적인 전력 변환 및 제어를 제공하기 위해 모터 제어 및 구동 시스템에 사용됩니다.

• 재생 가능한 에너지 시스템 : 풍력 및 태양 발전 시스템에서는 시스템 효율성과 신뢰성을 향상시키기 위해 인버터 및 전력 변환 장치에 사용됩니다.

• 전기 자동차 : 전력 관리 및 드라이브 시스템 전기 자동차에 사용되는 효율적인 전력 변환 및 전력 제어를 지원합니다.

• 고전력 변환기 : 고전압 및 고전류의 애플리케이션 요구 사항을 충족하기 위해 고전력 인버터 및 컨버터에 적합합니다.

• 인버터 용접기 : 인버터 용접기에서는 안정적인 아크와 효율적인 에너지 전송을 제공하는 데 사용됩니다.

FF400R33KF2C 회로 다이어그램

FF400R33KF2C Circuit Diagram

제공된 회로 다이어그램은 FF400R33KF2C IGBT 모듈의 내부 구조를 보여줍니다.이 모듈은 Half-Bridge 구성으로 배열 된 2 개의 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)로 구성되며, 이는 모터 드라이브, 인버터 및 기타 고출력 애플리케이션을위한 전력 전자 장치의 일반적인 토폴로지입니다.

터미널 E1 및 C1: 이들은 첫 번째 IGBT (IGBT1)의 이미 터 및 수집기 연결을 나타냅니다.IGBT1이 활성화 될 때이 단자를 통해 전류가 흐릅니다.

터미널 E2 및 C2: 이들은 두 번째 IGBT (IGBT2)의 이미 터와 수집가를 나타냅니다.유사하게, IGBT2가 활성화 될 때 전류는 이들 터미널을 통해 흐릅니다.

게이트 터미널 G1 및 G2:이 터미널은 IGBT1 및 IGBT2의 스위칭을 제어하여 작동을 정확하게 제어 할 수 있습니다.

프리 휠링 다이오드: IGBT에 연결된 내부 다이오드는 역 전류를위한 경로를 제공하여 스위칭 작업 중에 효율성과 보호를 향상시킵니다.

FF400R33KF2C 절대 최대 등급

IGBT 인버터

매개 변수 이름과 기호	가치와 단위
수집기-이미 터 전압 (v_CES)	3300 v
수집기-이미 터 전압 (v_CES)	3300 v
연속 DC 수집기 전류 (i_{C nom}))	400 a
연속 DC 수집기 전류 (i_기음))	660 a
반복 피크 수집기 전류 (i_CRM))	800 a
총 전력 소산 (p_더하다))	4.80kW
게이트 이미 터 피크 전압 (v_ges))	+/- 20 v

다이오드 인버터

매개 변수 이름과 기호	가치와 단위
반복 피크 역전 전압 (v_RRM))	3300 v
반복 피크 역전 전압 (v_RRM))	3300 v
연속 DC 전방 전류 (i_에프))	400 a
반복 피크 전방 전류 (i_frm))	800 a
열 에너지 적분 값 (I²T)	55.5 ka²s
최대 전력 소산 (p_{집시 남자}))	800kW
최소 턴온 시간 (t_최소))	10.0 µs

FF400R33KF2C 포장 치수

FF400R33KF2C Packaging Dimension

제공된 패키징 다이어그램은 FF400R33KF2C 모듈의 치수 레이아웃을 보여 주어 컴팩트 한 통합 및 보안 설치를위한 설계를 강조합니다.모듈은 길이 130.5 mm, 너비가 55.2mm, 높이 38mm이며 우주 제약 시스템과의 호환성을 보장합니다.

이 모듈에는 다중 장착 구멍 (M8 및 M4)이 포함되어있어 방열판 또는 시스템 프레임에 대한 안전한 기계적 고정을 보장합니다.M8의 나사 깊이는 16mm이고 M4의 경우 8mm이며 작동 중 안정성을 제공합니다.이미 터, 수집기 및 게이트 터미널 (E1, C1, G1, E2, C2, G2)은 배선 복잡성을 최소화하고 연결 정확도를 향상시키기 위해 명확하게 표시되고 배치됩니다.

FF400R33KF2C 장점 및 단점

장점

• 고전압 및 전류 처리: 최대 3300 V 컬렉터-이미 터 전압 및 400 개의 정격 전류에서 작동하여 고전력 시스템에 대한 강력한 선택입니다.

• 낮은 전도 손실: 25 ° C에서 3.4V의 일반적인 포화 전압은 작동 중에 최소 에너지 낭비를 보장합니다.

• 빠른 스위칭 속도: 0.28 µs의 턴온 시간과 1.55 µs의 턴 오프 시간은 효율적인 고주파 스위칭을 가능하게합니다.

• 강력한 단락 보호: 펄스 폭이 ≤10 µs 인 2000a까지의 단락 전류를 견딜 수있어 작동 안전이 향상됩니다.

• 우수한 열 성능: ALSIC베이스 플레이트 및 ALN 단열재는 26.0 k/kW에서 열 저항을 유지하여 무거운 하중 하에서 안정적인 열 소산을 보장합니다.

• 광범위한 응용 프로그램 범위: 산업 드라이브, 재생 가능 에너지 시스템 및 전기 자동차 파워 트레인을 위해 설계되어 다양한 응용 분야의 유연성을 보장합니다.

단점

• 복잡한 냉각 요구: 시스템 복잡성과 비용에 추가 될 수있는 고급 열 관리 솔루션이 필요합니다.

• 설계 감도: 최적의 기능을 위해 정확한 게이트 구동 회로 및 보호 메커니즘이 필요합니다.

• 더 높은 비용: 프리미엄 기능은 간단한 IGBT 모듈에 비해 초기 비용이 더 높아집니다.

• 기술 지식이 필요합니다: 통합은 고출력 시스템 설계 및 IGBT 처리에 대한 전문 지식이 필요합니다.

• 공간 제한: 크기는 엄격한 공간 제약이있는 시스템에 도전을 제기 할 수 있습니다.

FF400R33KF2C 대안

상표	모델	특징
인피 논	FF400R33KF2C	3300 V, 400 전도 손실이 낮은 이중 IGBT 모듈 빠른 스위칭 성능.
인피 논	FF450R33T3E3	3300 V, 450 High DC를 특징으로하는 이중 IGBT 모듈 안정성, 낮은 스위칭 손실 및 향상된 열을위한 ALSIC베이스 플레이트 사이클링 기능.
인피 논	FF400R33KF2C	3300 V, 660 고전력을 위해 설계된 IGBT 모듈 강력한 성능과 신뢰성을 제공하는 응용 프로그램.