GD450HFY120C6S IGBT 모듈로 전력 변환 최적화

GD450HFY120C6S는 고성능 IGBT 하프 브리지 전력 모듈로 StarPower Semiconductor가 요구하는 응용 프로그램을 위해 설계했습니다.이 모듈은 낮은 전도 손실, 효율적인 열 관리 및 빠른 스위칭 기능을 자랑하여 산업 전력 시스템에 안정적인 선택입니다.강력한 설계는 최대 10 µs의 단락 보호를 지원하여 다양한 고전력 응용 분야에서 오래 지속되는 신뢰성을 보장합니다.

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450HFY120C6S 개요

그만큼 GD450HFY120C6 고전압 및 전류 기능이 필요한 애플리케이션을 위해 StarPower Semiconductor가 설계 한 고성능 하프 브리지 IGBT 전력 모듈입니다.25 ° C에서 전압 등급이 1200V이고 연속 수집기 전류가 450a로,이 모듈은 모터 드라이브, 재생 가능 에너지 시스템 및 무정전 전원 공급 장치 (UPS)의 응용에 이상적입니다.낮은 포화 전압을 특징으로합니다 (v_{CE (SAT)}) 및 양의 온도 계수로 효율적인 열 관리 및 낮은 전도 손실을 보장합니다.이 모듈에는 또한 감소 된 스위칭 손실을위한 빠르고 소프트 리버스 복구 다이오드가 포함되어 있으며 우수한 열 소산을위한 분리 된 구리베이스 플레이트가 장착되어 있습니다.강력한 설계는 최대 10 µs의 단락 기능을 지원하므로 산업 전력 시스템에 신뢰할 수 있습니다.

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GD450HFY120C6S 기능

•낮은 v_{CE (SAT)} 트렌치 IGBT 기술:이 기술은 에너지 손실을 줄입니다 트랜지스터의 전압 강하를 낮추어 작동하는 동안 에.예를 들어 Infineon 's TrenchStop ™ IGBT6 시리즈는 V를 달성합니다_{CE (Sat}) 의 1.85 V, 고속 응용 분야의 효율 향상.

•낮은 인덕턴스 패키지: IGBT 인덕턴스 패키지가 낮은 모듈은 고주파 스위칭에 최적화됩니다. 응용 프로그램.이 패키지는 기생 인덕턴스를 최소화하여 전압을 줄입니다 성능을 향상시키는 스파이크 및 전자기 간섭 (EMI) 신뢰할 수 있음.

GD450HFY120C6S 애플리케이션

•하이브리드 및 전기 자동차 (HEVS/EVS): igbts 배터리에서 전원을 전기를 구동하는 데 필요한 유형으로 전력을 변환하는 데 도움이됩니다. 전기 자동차 (EVS)의 운동, 효율성 및 성능 향상.그들 이 차량의 주행 범위를 늘리는 데 도움이됩니다.

•재생 에너지 시스템: igbts DC 전력을 변환하기 위해 태양 광 및 풍력 에너지 시스템의 인버터에 사용됩니다. 태양 전지판이나 풍력 터빈에서 AC 전력으로 주택 또는 전력망.

GD450HFY120C6S 등가 회로 회로도

이 GD450HFY120C6S 회로 회로도는 2 개의 IGBT를 갖는 하프 브리지 구성을 나타냅니다.그만큼 IGBTS는 흐름을 제어합니다 회로의 전원, 수집기와 이미 터 사이의 전류를 전환합니다.다이오드는 외부 상태에서 IGBT를 보호하여 전압 스파이크를 방지합니다.게이트 저항은 상단 IGBT에 연결됩니다. 스위칭 속도를 제어하십시오,,, 스위칭 손실 최소화 시스템 효율성 향상.그만큼 연결 지점 (1 ~ 11으로 표시) IGBT에 해당합니다 터미널,,, 다이오드, 그리고 게이트 저항, 양극과 음의 전압 레일 사이의 제어 전환을 허용합니다.이 구성은 일반적으로 인버터 및 모터 드라이브와 같은 전력 변환 애플리케이션에 사용됩니다.

GD450HFY120C6S 제조업체

gd450hfy120c6s에 의해 만들어집니다스타 파워 반도체 Ltd., 상하이에서 남동쪽으로 약 95km 떨어진 중국 Jiaxing에 본사를 둔 주요 전력 모듈 회사.2005 년 벤처 캐피탈과 함께 설립 된 Starpower는 IGBT, MOSFET, IPM (Intelligent Power Modules), 빠른 복구 다이오드 (FRD) 및 정류기 모듈을 포함한 고성능 전력 모듈 설계 및 생산을 전문으로합니다.

GD450HFY120C6S 패키지 개요

이 GD450HFY120C6S 패키지 개요 다이어그램은 모듈에 대한 자세한 차원을 제공하며, 이는 전자 시스템에 적절한 통합에 중요합니다.패키지에는 a가있는 직사각형 형태 계수가 있습니다 173.5 mm 길이, 에이 94.5 mm의 너비, 그리고 a 높이 28.5 mm, 산업 응용 분야의 표준 장착 슬롯에 적합합니다.다이어그램은 또한 장착 구멍의 위치를 ​​강조하고 M8 및 M4 홀 크기 보안 설치를 위해 모서리와 센터에서.또한 다이어그램에는 핀 연결에 대한 정확한 측정이 포함되어 회로 보드 또는 커넥터 인터페이스와의 올바른 정렬을 보장합니다.개요 치수는 모듈을 모터 드라이브 또는 전력 변환기와 같은 시스템에 효과적으로 장착하고 통합 할 수 있도록하는 데 중요합니다.

GD450HFY120C6S 절대 최대 등급

범주	상징	설명		값	단위
IGBT	다섯CES	수집기-이미 터 전압		1200	다섯
	다섯ges	게이트 이미 터 전압		± 20	다섯
	나기음	수집기 전류	TC = 25 ° C	698	에이
			TC = 100 ° C	450
	나cm	펄스 수집기 전류 TP = 1ms		900	에이
	피디	최대 전력 소실 @ TJ = 175 ° C		2272	w
다이오드	다섯RRM	반복적 인 피크 역전 전압		1200	다섯
	나에프	다이오드 연속 전류		450	에이
	나FM	다이오드 최대 전방 전류 TP = 1ms		900	에이
기준 치수	티Jmax	최대 정션 온도		175	° C
	티jop	작동 정션 온도		-40 ~ +150	° C
	티stg	저장 온도		-40 ~ +125	° C
	다섯ISO	분리 전압 RMS, F = 50Hz, T = 1 분		2500	다섯

GD450HFY120C6S 혜택

• 고효율: 낮은 수집기-이미 터 포화 전압으로 (v_{CE (SAT)}) 및 트렌치 IGBT 기술은 전반적인 시스템 효율성에 기여하여 전도 손실이 낮아집니다.

• 열 안정성: 모듈의 양의 온도 계수는 다양한 온도 조건에서 안정적인 성능을 보장하며, 이는 열 런 어웨이를 방지하고 신뢰성을 보장하는 데 중요합니다.

• 빠른 스위칭: 빠르고 소프트 리버스 복구 다이오드의 통합은 스위칭 손실을 감소시켜 고속 작동을 가능하게하고 빠른 스위칭 전환 중에 전력 소산을 감소시킵니다.

• 높은 짧은 회로를 견딜 수 있습니다 : GD450HFY120C6은 최대 10 µs의 단락을 견딜 수있어 까다로운 환경에서 견고성과 신뢰성을 제공 할 수 있습니다.

• 열 관리 개선: 직접 결합 구리 (DBC) 기술을 갖춘 고립 된 구리베이스 플레이트를 특징으로하는이 모듈은 우수한 열 소산을 제공하며, 이는 고전력 응용 분야에서 성능을 유지하는 데 필수적입니다.

• 광범위한 응용 범위: 다재다능한 설계는 전기 자동차 (EV), 재생 에너지 시스템, 모터 드라이브 및 무정전 전원 공급 장치 (UPS)를 포함한 다양한 산업에 적합합니다.

GD450HFY120C6S 대안 제품

GD450HFY120C6S 일반적인 문제 및 솔루션

• 과열: 열 관리 불량, 과도한 전류 또는 부적절한 열 소산으로 인해 모듈이 과열 될 수 있습니다.적절한 방열판 설치를 보장하고, 냉각 효율을 향상시키고, 주변 온도가 권장 한도 내에 있는지 확인하십시오.

• 단락: GD450HFY120C6은 최대 10 µs의 단락을 견딜 수 있지만 장기간의 단락은 모듈을 손상시킬 수 있습니다.퓨즈 나 회로 차단기와 같은 단락 보호 메커니즘을 추가하십시오.

• 스위칭 손실: 빠른 전환 또는 부적절한 게이트 드라이브로 인해 과도한 스위칭 손실이 발생할 수 있습니다.잘 설계된 게이트 드라이브 회로를 사용하고 빠르고 소프트 리버스 복구 다이오드를 사용하십시오.

• 전기 소음: 모듈은 근처의 민감한 장비에 영향을 미치는 전기 노이즈를 생성 할 수 있습니다.전자기 간섭을 최소화하기 위해 적절한 필터링, 커패시터 및 차폐 기술을 구현하십시오.

• 부적절한 게이트 구동 전압: 게이트 구동 전압이 부족하면 스위칭 동작이 부적절해질 수 있습니다.게이트 드라이브 회로가 안정적인 스위칭을위한 올바른 전압을 제공하는지 확인하십시오.

• 다섯_{CE (SAT)} 경향: 수집기-이미 터 포화 전압 (VCE (SAT))는 시간이 지남에 따라 증가하여 전력 손실이 높아질 수 있습니다.과도한 전류를 피하고 효과적인 열 관리를 보장하기 위해 작동 조건을 모니터링하십시오.

• 구성 요소 고장 : 과전압 또는 부적절한 장착은 구성 요소 고장을 유발할 수 있습니다.열 전도성 표면에 적절한 장착을 보장하고 과전압 보호 회로를 사용하십시오.

비교 : GD450HFY120C6S 대 GD450HFY120C2S

특징	GD450HFY120C6	GD450HFY120C2S
제조업체	스타 파워 반도체	스타 파워 반도체
전압 등급 (vCES))	1200 v	1200 v
연속 수집기 전류 (i기음))	25 ℃에서 450A, 100 ℃에서 300A	25 ℃에서 450A, 100 ℃에서 300A
펄스 수집기 전류 (icm))	900 A (1ms 펄스)	900 A (1ms 펄스)
수집기-이미 터 포화 전압 (다섯CE (SAT)))	1.7–2.15 V at 450 a	1.7–2.15 V at 450 a
게이트 이미 터 임계 값 전압 (vge (th)))	5.6–6.8 v	5.6–6.8 v
최대 접합 온도 (tvjmax))	175 ° C	175 ° C
패키지 유형	C6 (분리 구리베이스 플레이트)	C2 (분리 구리베이스 플레이트)
스위칭 속도	낮은 스위칭 손실로 빠른 스위칭	낮은 스위칭 손실로 빠른 스위칭
열 관리	직접 결합 구리 (DBC) 기술 열 소산을 위해	직접 결합 구리 (DBC) 기술 열 소산을 위해
일반적인 응용 프로그램	모터 드라이브, EV, UPS, 재생 에너지 시스템	모터 드라이브, EV, UPS, 재생 에너지 시스템
가격/가용성	시장에서 일반적으로 제공됩니다	시장에서 일반적으로 제공됩니다

GD450HFY120C6S 유지 보수 팁

• 아르 자형egular 열 모니터링: 작동 온도를 지속적으로 모니터링하고 방열판 및 열 관리 시스템이 과열을 방지하기 위해 효율적으로 깨끗하고 작동하는지 확인하십시오.

• 적절한 장착 및 취급: 항상 모듈을 안전한 연결로 평평하고 열전도성 표면에 장착하고 기계적 응력을 피하기 위해 올바른 토크를 사용하십시오.

• 마모 징후에 대한 검사: 정기적으로 변색, 화상 자국 또는 느슨한 연결을 검사하고 패키지 또는 핀의 물리적 손상을 확인하십시오.

• G드라이브 회로 유지 보수를 먹었습니다: 게이트 드라이브 회로가 올바르게 작동하는지 확인하고 게이트 전압 레벨을 정기적으로 확인하여 적절한 스위칭 동작을 보장합니다.

• 적절한 보호 사용 : 과전압, 과전류 및 단락 보호 메커니즘을 구현하고 기능성을 정기적으로 테스트합니다.

• 깨끗한 전기 접촉: 부식을 방지하고 저항성 연결을 유지하기 위해 적절한 클리너로 전기 접점을 정기적으로 청소하십시오.

• 환경 조건: 권장되는 환경 조건 내에서 모듈을 작동시키고 과도한 먼지, 수분 또는 부식성 물질을 피하십시오.

• 예방 테스트: 일상적으로 기능 테스트를 수행하고, 스위칭 성능을 모니터링하고, 오실로스코프를 사용하여 스위칭 파형이 예상되는지 확인하십시오.

결론

GD450HFY120C6S는 우수한 열 안정성, 높은 스위칭 속도 및 장기 신뢰성을 제공하는 다목적이고 효율적인 IGBT 모듈입니다.권장 유지 보수 팁을 따르면 앞으로 몇 년 동안 모듈이 피크 성능으로 작동하는지 확인할 수 있습니다.대량 주문 또는 특정 기술 요구 사항에 관계없이 GD450HFY120C6S는 전원 모듈 요구에 대한 강력한 솔루션입니다.