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Infineon은 업계 최초

Infineon Technologies는 최근 공간 및 극단 환경 응용 프로그램을위한 업계 최초의 512 Mit Radiation Hardened QSPI 및 Flash Memory를 출시했습니다.이 반도체 장치는 고밀도, 방사선 및 단일 이벤트 효과 (참조) 성능을 특징으로하며 빠른 쿼드 스파 인터페이스 (133 MHz)에서 작동합니다.우주 등급 FPGA 및 마이크로 프로세서와 함께 사용할 수있는 완전히 QML 인증되지 않은 비 휘발성 메모리입니다.
Infineon 512 Mbit Radiation-Hardened NOR Flash

이 새로운 장치는 미국 공군 연구소 (AFRL) 우주 차량 국장이 자금을 지원했으며 Microelectronics Research Development Corporation (Microelectronics Research Development Corporation)과 공동 개발되었습니다.그것은 Infineon의 입증 된 Sonos (실리콘 기질-서브 스러 값 옥사이드 층-충전 질산화물 옥사이드 층-결정 폴리 결정 게이트))를 기반으로하며, 저밀도 대안에 비해 최대 30% 더 높은 작동 속도를 제공합니다.

AFRL의 Space Electronics Technology Program Manager 인 Richard Marquez는 다음과 같이 말했습니다 : "차세대 우주 시스템의 디자이너는 점점 더 신뢰할 수 있고 고밀도 메모리를 요구하고 있습니다. Infineon 및 Micro-RDC와 같은 업계 리더와의 협력은 솔루션 개발로 이어졌습니다.이는 대체 기술에 비해 높은 밀도, 높은 데이터 전송 속도 및 우수한 방사선 성능을 결합합니다. "

Micro-RDC의 Joseph Cuchiaro 회장은 다음과 같이 말했습니다 : "Infineon의 방사선 강화 및 플래시 메모리는 Micro-RDC의 Extreme Environment Solutions를 보완합니다. 512 Mbit Density Device의 도입으로 설계자는 이제 고성능 시스템을 구축하여 엄격한 수요를 충족시킬 수 있습니다.그 어느 때보 다 광범위한 미션 유형의 범위. "

Infineon의 항공 우주 및 방어 사업 담당 부사장 인 Helmut Puchner는 다음과 같이 말했습니다 : "방사선 화가 메모리를 포함하는 Infineon 512 MBIT 및 Flash 제품군의 확장은 차세대 공간에 고도로 신뢰할 수 있고 고성능 메모리 솔루션을 제공하겠다는 약속을 더 보여줍니다.요구 사항. AFRL 및 Micro-RDC와의 협력은 우주 애플리케이션에서 발생하는 극단적 인 환경을 해결하기 위해 주요 위성 기능을 개선하는 솔루션을 사용하여 업계 최고의 기술을 발전시킵니다. "

Infineon의 Sonos Technology는 밀도와 속도를 고급 방사선 성능과 결합하여 최대 10,000 P/E 사이클의 탁월한 내구성과 10 년의 데이터 보유 기간을 제공합니다.133 MHz QSPI 인터페이스는 우주 등급 FPGA 및 프로세서에 대한 높은 데이터 전송 속도를 제공합니다.보드 영역 1 "x 1"및 더 작은 0.5 "x 0.8"플라스틱 TQFP (QML-P) 패키지의 세라믹 QFP (QML-V)의 두 가지 패키지로 제공됩니다.또한이 장치는 우주 FPGA 부트 코드 솔루션에 대한 최고 밀도 TID/SEE Performance 조합을 제공합니다.QML-V/P 패키지는 DLAM 인증을 받았으며 가장 엄격한 산업 자격 요건을 충족합니다.

이 장치의 일반적인 사용 사례에는 우주 등급 FPGA 용 구성 이미지 스토리지 및 공간 등급 멀티 코어 프로세서를위한 독립적 인 부트 코드 저장소가 포함됩니다.