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Onsemi는 에너지 소비 및 시스템 비용을 줄이기 위해 SIC 기반 지능형 전력 모듈을 소개합니다.

Onsemi (NASDAQ : ON)는 1200V 실리콘 카바이드 (SIC) 금속 산화물-비도 컨덕터 필드 효과 트랜지스터 (MOSFET) 기술을 기반으로 1 세대 SPM 31 IPM (IPM) 시리즈를 출시했습니다.FS7 (FS7) IGBT 기술과 비교할 때, Onsemi Elitesic SPM 31 IPM은 초고품 패키지에서 우수한 효율성과 전력 밀도를 제공하여 시장의 다른 주요 솔루션보다 전체 시스템 비용을 낮추고 있습니다.이 IPM은 열 성능을 향상시키고 전력 손실을 줄이며 높은 스위칭 속도를 지원하여 AI 데이터 센터, 히트 펌프, 상업용 HVAC 시스템, 서보 모터, 로봇 공학, 로봇 공학, 가변 주파수 드라이브 (VFD) 및 산업 펌프 및 블로어의 전자적으로 통근 (EC) 팬과 같은 3 단계 가변 주파수 드라이브 응용 프로그램에 이상적입니다.

Elitesic SPM 31 IPM은 40A에서 70A의 현재 등급을 제공함으로써 15A에서 35A의 저급 등급을 포함하는 Onsemi의 IGBT SPM 31 IPM 포트폴리오를 보완합니다.Onsemi는 이제 소형 패키지에 업계 최고의, 확장 가능하며 유연한 통합 전력 모듈 솔루션을 제공합니다.

전기 화 및 AI 응용 프로그램이 확장됨에 따라 특히 AI 데이터 센터의 수가 증가함에 따라 에너지 수요가 증가함에 따라 이러한 응용 분야의 에너지 소비가 줄어들면서 점점 더 중요 해지고 있습니다.전기 에너지를 효율적으로 변환하는 전력 반도체는 저탄소 세계로 전환하는 데 중요한 역할을합니다.

데이터 센터의 수와 규모의 지속적인 성장으로 EC 팬에 대한 수요도 증가 할 것으로 예상됩니다.이 냉각 팬은 모든 데이터 센터 장비에 대한 최적의 작동 조건을 유지하여 정확하고 중단되지 않은 데이터 전송을 보장합니다.SIC IPM을 통해 EC 팬은보다 효율적이고 안정적으로 작동 할 수 있습니다.

다른 산업 응용 분야의 압축기 드라이브 및 펌프와 마찬가지로 EC 팬은 기존의 대형 IGBT 솔루션보다 더 높은 전력 밀도와 효율이 필요합니다.고객은 엘리트 SPM 31 IPM으로 전환함으로써 높은 통합, 개발 시간을 줄이고 개발 시간을 줄이며 전반적인 시스템 비용 절감 및 온실 가스 배출을 줄임으로써 더 작은 발자국, 성능 향상 및 단순화 된 설계로 이익을 얻습니다.예를 들어, 현재 IGBT 전력 통합 모듈 (PIMS)을 사용하는 시스템과 비교하여 70% 부하에서 500W 전력 손실을 갖는 고효율 엘리트 SPM 31 IPM을 채택하면 EC 팬당 연간 에너지 소비와 비용이 52% 감소합니다.

완전히 통합 된 엘리트 SPM 31 IPM에는 독립적 인 하이 사이드 게이트 드라이버, 저전압 통합 회로 (LVIC), 6 개의 엘리트 MOSFET 및 온도 센서 (전압 온도 센서 (VTS) 또는 서미스터가 포함됩니다.업계 최고의 M3 SIC 기술을 기반으로 한이 모듈은 다이 크기를 줄이고 SPM 31 패키지를 활용하여 SCWT (Short-Circuit Standstand Time)를 향상시켜 산업 가변 주파수 모터 드라이브와 같은 하드 스위치 애플리케이션을 최적화합니다.MOSFETS는 낮은 사이드에 독립적 인 소스 연결을 갖춘 3 상 브리지 구조를 채택하여 제어 알고리즘을 선택하는 데 더 큰 유연성을 제공합니다.

또한 Elitesic SPM 31 IPM은 다음과 같은 이점을 제공합니다.

• 저 손실, 단락 등급 M3 엘리트 MOSFET는 전기 충격 또는 화재와 같은 치명적인 고장을 방지합니다.

• 내장 저전압 보호 (UVP)는 전압이 너무 낮아지면 손상을 방지합니다.

• FS7 IGBT SPM 31에 직접 대응하는 고객은 동일한 PCB 설계를 사용하는 동안 다른 현재 등급을 선택할 수 있습니다.

• UL 인증, 국내 및 국제 안전 표준 충족.

• 단일 근거 전원 공급 장치는 안전, 장치 보호 및 소음 감소를 향상시킵니다.

• 고객을위한 단순화 된 설계 및 PCB 발자국 감소.