제품 모델 | BC846BDW1T1G |
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제조업체 / 브랜드 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
재고 수량 | 23000 pcs Stock |
범주 | 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-어레이 |
기술 | TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
RFQ BC846BDW1T1G 데이터 시트 | BC846BDW1T1G 세부 정보 PDF |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 65V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 600mV @ 5mA, 100mA |
트랜지스터 유형 | 2 NPN (Dual) |
제조업체 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
연속 | - |
전력 - 최대 | 380mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들 | BC846BDW1T1G-ND BC846BDW1T1GOSTR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
주파수 - 전환 | 100MHz |
상세 설명 | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 200 @ 2mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 15nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
기본 부품 번호 | BC846BD |