제품 모델 | SI2329DS-T1-GE3 |
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제조업체 / 브랜드 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
재고 수량 | 16400 pcs Stock |
범주 | 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 |
기술 | MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
RFQ SI2329DS-T1-GE3 데이터 시트 | SI2329DS-T1-GE3 세부 정보 PDF |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 800mV @ 250µA |
Vgs (최대) | ±5V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 30 mOhm @ 5.3A, 4.5V |
전력 소비 (최대) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들 | SI2329DS-T1-GE3-ND SI2329DS-T1-GE3TR |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1485pF @ 4V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.2V, 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V |
상세 설명 | P-Channel 8V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Tc) |