제품 모델 | SI4561DY-T1-GE3 |
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제조업체 / 브랜드 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
재고 수량 | 2807 pcs Stock |
범주 | 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 |
기술 | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
RFQ SI4561DY-T1-GE3 데이터 시트 | SI4561DY-T1-GE3 세부 정보 PDF |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35.5 mOhm @ 5A, 10V |
전력 - 최대 | 3W, 3.3W |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
다른 이름들 | SI4561DY-T1-GE3TR SI4561DYT1GE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 640pF @ 20V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET 유형 | N and P-Channel |
FET 특징 | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40V |
상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 7.2A 3W, 3.3W Surface Mount 8-SO |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.8A, 7.2A |
기본 부품 번호 | SI4561 |