제품 모델 | SIE808DF-T1-E3 |
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제조업체 / 브랜드 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
재고 수량 | 4140 pcs Stock |
범주 | 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 |
기술 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
RFQ SIE808DF-T1-E3 데이터 시트 | SIE808DF-T1-E3 세부 정보 PDF |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±20V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 10-PolarPAK® (L) |
연속 | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.6 mOhm @ 25A, 10V |
전력 소비 (최대) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 10-PolarPAK® (L) |
다른 이름들 | SIE808DF-T1-E3TR SIE808DFT1E3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8800pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 155nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
상세 설명 | N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60A (Tc) |