| 제품 모델 | SUM110N10-09-E3 |
|---|---|
| 제조업체 / 브랜드 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 재고 수량 | 5405 pcs Stock |
| 범주 | 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
| RFQ SUM110N10-09-E3 데이터 시트 | SUM110N10-09-E3 세부 정보 PDF |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263 (D2Pak) |
| 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 9.5 mOhm @ 30A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 다른 이름들 | SUM110N10-09-E3TR SUM110N1009E3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6700pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
| 상세 설명 | N-Channel 100V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 110A (Tc) |
