IRGR3B60KD2TRP는 인텔리전트 릭티파이어(Infineon Technologies)가 설계한 고성능 절연된 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)로, 첨단 전력전자 응용 분야에 적합한 제품입니다. 이 디스크리트 반도체 소자는 뛰어난 전기적 특성과 견고한 설계를 갖추고 있어 표면 실장(SMD) 방식의 다양한 전자 시스템에 적합합니다.
NPT(Non-Punch Through) 기술이 적용된 단일 IGBT로서, 이 트랜지스터는 최대 컬렉터 전류 15.6A와 600V의 컬렉터-이미터 파괴 전압을 제공합니다. -55°C에서 150°C까지 넓은 온도 범위에서 안정적으로 작동하며, 까다로운 환경에서도 신뢰성 있는 성능을 유지합니다.
주요 기술 특징으로는 15V 및 3A 조건에서의 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압(Vce(on)) 2.4V, 그리고 켜기 시 62J, 끄기 시 39J의 최소 스위칭 에너지 손실이 있습니다. 이 제품은 공간 제약이 있는 전자 설계에 적합한 콤팩트한 D-Pak(TO-252-3) 패키지로 제공되어, 효율적인 전력 관리가 가능합니다.
적용 분야로는 모터 제어 시스템, 전원 공급장치, 인버터, 산업 자동화, 재생 에너지 변환 장치 등이 있습니다. 무연 및 RoHS 인증된 친환경 구조로, 현대 전자 제조 기준에 부합합니다.
유사 성능 범주의 대체 모델로는 IRGR3B60KD2PBF와 인텔리전트 릭티파이어의 유사 NPT IGBT 제품군이 있으며, 이 제품은 뛰어난 사양으로 고효율 전력 변환 및 스위칭 애플리케이션에 적합합니다.
이 트랜지스터는 표준 표면 실장 조립 공정과 뛰어난 전기적 특성을 지원하여 전력전자 설계 요구를 충족할 수 있으며, 첨단 NPT IGBT 기술로 최소 스위칭 손실과 높은 신뢰성을 제공합니다.
IRGR3B60KD2TRP 핵심 기술 특성
IRGR3B60KD2TRP는 최대 600V의 컬렉터-에미터 전압 강하(최대)를 제공하며, 컬렉터 전류는 최대 15.6A입니다. Vce(on)은 2.4V(15V, 3A일 때)로 효율적인 전력 스위칭이 가능합니다. NPT 구조의 IGBT로서 향상된 성능과 낮은 누설 전류를 자랑합니다.
IRGR3B60KD2TRP 포장 크기
D-Pak 타입으로 제공되며, 테이프와 릴(Tape & Reel) 포장 방식입니다. 크기는 TO-252-3 또는 DPak(2단자 + 탭) 규격이며, SC-63 크기를 갖추고 있어 다양한 회로에 적합합니다.
IRGR3B60KD2TRP 적용 분야
고효율 전력 스위칭이 필요한 분야, 예를 들어 스위칭 레귤레이터, 인버터, 모터 제어 시스템 등에 최적화되어 있습니다. 정밀한 제어와 안정성을 요구하는 산업용 애플리케이션에 적합합니다.
IRGR3B60KD2TRP 특징
NON-PUNCH THROUGH 기술의 NPT 구조로 향상된 성능 제공, 온/오프 에너지(62J/39J)로 효율적인 에너지 전달 보장, 13nC의 게이트 전하로 부드러운 스위칭 가능, 최대 출력 52W로 다양한 조건에서도 안정적 작동. 18ns/110ns의 빠른 스위칭 시간 세부 설계.
IRGR3B60KD2TRP 품질 및 안전 기능
무연(Lead-Free) 및 RoHS(유해물질 제한) 규격을 준수하여 친환경성이 뛰어나며, 습기 민감도 수준(MSL) 1로 무제한 습기 내성을 갖추어 높은 내구성을 자랑합니다.
IRGR3B60KD2TRP 호환성
서피스 마운트(Surface Mount) 방식으로 PCB 설계의 유연성을 높였으며, DPAK 케이스와 호환되어 다양한 회로 설계에 활용 가능합니다. IRGR3B60KD2PBF와의 표준화 및 교체 용이성을 보장합니다.
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