제품 모델 | NSBC124EPDXV6T1G |
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제조업체 / 브랜드 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
재고 수량 | 50 pcs Stock |
범주 | 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 |
기술 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
RFQ NSBC124EPDXV6T1G 데이터 시트 | NSBC124EPDXV6T1G 세부 정보 PDF |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 300µA, 10mA |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
제조업체 장치 패키지 | SOT-563 |
연속 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 22 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 22 kOhms |
전력 - 최대 | 500mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
다른 이름들 | NSBC124EPDXV6T1GOS NSBC124EPDXV6T1GOS-ND NSBC124EPDXV6T1GOSTR |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
주파수 - 전환 | - |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 60 @ 5mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA |
기본 부품 번호 | NSBC1* |