제품 모델 | GP1M010A080FH |
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제조업체 / 브랜드 | Global Power Technologies Group |
재고 수량 | 2756 pcs Stock |
범주 | 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 |
기술 | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | 무연 / RoHS 준수 |
RFQ GP1M010A080FH 데이터 시트 | GP1M010A080FH 세부 정보 PDF |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-220F |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V |
전력 소비 (최대) | 48W (Tc) |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
다른 이름들 | 1560-1176-1 1560-1176-1-ND 1560-1176-5 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2336pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 53nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800V |
상세 설명 | N-Channel 800V 9.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.5A (Tc) |