제품 모델 | BCR533E6327HTSA1 |
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제조업체 / 브랜드 | Infineon |
재고 수량 | 25000 pcs Stock |
범주 | 집적회로 (ic) > 특수 ic |
기술 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | |
RFQ BCR533E6327HTSA1 데이터 시트 | BCR533E6327HTSA1 세부 정보 PDF |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 |
연속 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10 kOhms |
저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms |
전력 - 최대 | 330mW |
포장 | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들 | BCR 533 E6327 BCR 533 E6327-ND BCR 533 E6327TR-ND BCR533E6327 BCR533E6327BTSA1 BCR533E6327HTSA1TR BCR533E6327XT SP000010853 |
실장 형 | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
주파수 - 전환 | 100MHz |
상세 설명 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 70 @ 50mA, 5V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 500mA |
기본 부품 번호 | BCR533 |