Micron Technology의 MT41K128M8JP-125:G는 고성능 DDR3L SDRAM 메모리 칩으로, 1Gb(128M x 8)의 저장 용량을 제공합니다. 이 통합 회로는 다양한 애플리케이션에 적합하도록 설계되었으며, 신뢰성과 효율성을 갖춘 메모리 솔루션입니다.
기능 측면에서 이 DDR3L SDRAM은 800MHz의 클럭 주파수로 작동하여 빠른 데이터 액세스와 13.75나노초의 임팩트 있는 액세스 타임을 제공합니다. 휘발성 메모리 유형으로, 복잡한 연산 및 전자 시스템의 신속한 데이터 검색과 처리에 적합합니다.
디자인 난제 해결을 위해, 이 제품은 78-FBGA(8x11.5) 콤팩트 패키지로, 공간이 좁은 환경에서도 효율적으로 통합할 수 있습니다. BGA(볼 그리드 어레이) 포장을 통해 안정적이고 내구성 있는 연결을 보장하며, 오랜 기간 성능 유지가 가능합니다.
주요 사양으로는 0°C에서 95°C까지 폭넓은 작동 온도 범위(TC)를 갖추고 있어 다양한 환경 조건에서도 사용이 가능하며, RoHS 친환경 규격을 준수합니다. 또한 튜브 포장으로 제공되어, 취급과 운반이 용이합니다.
이 DDR3L SDRAM의 핵심 장점은 고속 성능, 대용량 저장 공간, 그리고 전력 효율적인 작동(1.283V~1.45V 지원)으로, 컴퓨터, 산업장비, 가전제품 등 다양한 분야에 적합한 솔루션입니다.
호환성 측면에서, 이 Micron 제품은 독립형 메모리 칩으로 다양한 시스템 및 마더보드와 쉽게 통합할 수 있습니다. 다른 제조사에서도 유사 또는 대체 모델이 존재할 수 있으나, 제공된 정보에는 구체적인 모델 목록이 포함되어 있지 않습니다.
전반적으로, Micron Technology의 MT41K128M8JP-125:G DDR3L SDRAM 메모리 칩은 고성능, 에너지 효율, 소형 설계로 다목적 활용이 가능한 신뢰성 높은 메모리 솔루션입니다.
MT41K128M8JP-125G 핵심 기술 특성
이 모듈은 1Gb(128M x 8) 용량의 DDR3L SDRAM으로, 800MHz 클럭 속도와 13.75ns의 낮은 액세스 시간을 제공하여 빠른 데이터 처리와 높은 시스템 효율성을 실현합니다. 작동 전압은 1.283V에서 1.45V까지로 낮은 전력 소비와 우수한 전력 관리가 가능합니다. 병렬 메모리 인터페이스를 갖추고 있어 프로세서와의 빠른 통신이 가능합니다.
MT41K128M8JP-125G 포장 크기
칩은 78-FBGA(8x11.5) 패키지로, 튜브 포장 방식으로 제공되어 적절한 보호와 편리한 취급이 가능합니다. BGA 스타일의 핀 배치는 고밀도 회로 기판 설계에 적합하며, 표면장착 방식을 채택하여 현대 전자기기와의 호환성을 높였습니다.
MT41K128M8JP-125G 적용 분야
이 메모리 모듈은 PC, 노트북, 서버 등 고속 데이터 처리와 저장이 필요한 컴퓨팅 장치뿐만 아니라 대용량 메모리 대역폭이 요구되는 임베디드 시스템에 이상적입니다. 다양한 산업 분야의 성능 향상에 기여합니다.
MT41K128M8JP-125G 특징
MT41K128M8JP-125:G는 800MHz의 DDR3L 클럭 주파수와 높은 데이터 전송 속도를 지원하는 DDR3L SDRAM입니다. 병렬 메모리 인터페이스를 통해 빠른 통신을 구현하며, 13.75ns의 낮은 액세스 타임으로 시스템 전체의 속도와 효율성을 향상시킵니다. 전원 전압 범위는 1.283V에서 1.45V로, 전력 소비를 줄이고 전력 관리 효율성을 높인 설계입니다.
MT41K128M8JP-125G 품질 및 안전 기능
엄격한 품질 기준 하에 설계된 이 제품은 습기 민감도 레벨(MSL) 3(168시간)을 준수하여 다양한 환경에서도 안정성과 내구성을 보장합니다. 무연(RoHS) 인증을 받았으며, 친환경 소재 사용으로 환경 보호에 기여합니다.
MT41K128M8JP-125G 호환성
BGA 패키지와 표면 장착 방식 덕분에 최신 고밀도 회로 기판 설계와 호환되며, 다양한 전자기기에 손쉽게 통합할 수 있어 호환성 문제가 없습니다.
MT41K128M8JP-125G 데이터시트 PDF
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