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MT41K128M8JP-125:G

제조사 제품 모델:
MT41K128M8JP-125:G
제조업체 / 브랜드
Micron Technology Inc.
설명의 일부:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
사양서:
MT41K128M8JP-125:G(1).pdfMT41K128M8JP-125:G(2).pdfMT41K128M8JP-125:G(3).pdf
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
RoHS Compliant
재고 상태:
새로운 원본, 2300 개 구매 가능합니다.
ECAD 모델:
에서 운송된다:
Hong Kong
선적 방법:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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제품 모델 MT41K128M8JP-125:G
제조업체 / 브랜드 Micron Technology Inc.
재고 수량 2300 pcs Stock
범주 집적회로 (ic) > 메모리
기술 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부: RoHS Compliant
RFQ MT41K128M8JP-125:G 데이터 시트 MT41K128M8JP-125:G 세부 정보 PDF
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 1.283V ~ 1.45V
과학 기술 SDRAM - DDR3L
제조업체 장치 패키지 78-FBGA (8x11.5)
연속 -
패키지 / 케이스 78-TFBGA
패키지 Tube
작동 온도 0°C ~ 95°C (TC)
실장 형 Surface Mount
메모리 유형 Volatile
메모리 크기 1Gbit
메모리 조직 128M x 8
메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 DRAM
클럭 주파수 800 MHz
기본 제품 번호 MT41K128M8
액세스 시간 13.75 ns

포장 및 ESD

산업 표준 정전기 차폐 포장은 전자 부품에 사용됩니다. 정전기 방지, 광투명 재료를 사용하면 IC 및 PCB 어셈블리를 쉽게 식별할 수 있습니다.
포장 구조는 패러데이 케이지 원리를 기반으로 정전기 방지 기능을 제공합니다. 이는 취급 및 운송 중에 민감한 구성 요소를 정전기 방전으로부터 보호하는 데 도움이 됩니다.


모든 제품은 ESD에 안전한 정전기 방지 포장재로 포장되어 있습니다.외부 포장 라벨에는 명확한 식별을 위해 부품 번호, 브랜드, 수량 등이 포함되어 있습니다.상품은 배송 전에 검사를 거쳐 올바른 상태와 정품 여부를 확인합니다.

포장, 취급, 글로벌 운송 전반에 걸쳐 ESD 보호가 유지됩니다.안전한 포장은 운송 중에 안정적인 밀봉과 저항을 제공합니다.민감한 부품을 보호하기 위해 필요한 경우 추가 완충재가 적용됩니다.

품질관리(IC 부품별 부품 테스트)품질 보증

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DHL / FedEx / TNT / UPS 별 글로벌 배송

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배송료 : (참조 DHL 및 FedEX)
무게 (KG) : 0.00kg-1.00kg 가격 (USD $) : USD $ 60.00
무게 (KG) : 1.00kg-2.00kg 가격 (USD $) : USD $ 80.00
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문의 나 질문이 있으면 친절하게 문의하십시오. 이메일 : Info@IC-Components.com


MT41K128M8JP-125:G 제품 상세 정보:

Micron Technology의 MT41K128M8JP-125:G는 고성능 DDR3L SDRAM 메모리 칩으로, 1Gb(128M x 8)의 저장 용량을 제공합니다. 이 통합 회로는 다양한 애플리케이션에 적합하도록 설계되었으며, 신뢰성과 효율성을 갖춘 메모리 솔루션입니다.

기능 측면에서 이 DDR3L SDRAM은 800MHz의 클럭 주파수로 작동하여 빠른 데이터 액세스와 13.75나노초의 임팩트 있는 액세스 타임을 제공합니다. 휘발성 메모리 유형으로, 복잡한 연산 및 전자 시스템의 신속한 데이터 검색과 처리에 적합합니다.

디자인 난제 해결을 위해, 이 제품은 78-FBGA(8x11.5) 콤팩트 패키지로, 공간이 좁은 환경에서도 효율적으로 통합할 수 있습니다. BGA(볼 그리드 어레이) 포장을 통해 안정적이고 내구성 있는 연결을 보장하며, 오랜 기간 성능 유지가 가능합니다.

주요 사양으로는 0°C에서 95°C까지 폭넓은 작동 온도 범위(TC)를 갖추고 있어 다양한 환경 조건에서도 사용이 가능하며, RoHS 친환경 규격을 준수합니다. 또한 튜브 포장으로 제공되어, 취급과 운반이 용이합니다.

이 DDR3L SDRAM의 핵심 장점은 고속 성능, 대용량 저장 공간, 그리고 전력 효율적인 작동(1.283V~1.45V 지원)으로, 컴퓨터, 산업장비, 가전제품 등 다양한 분야에 적합한 솔루션입니다.

호환성 측면에서, 이 Micron 제품은 독립형 메모리 칩으로 다양한 시스템 및 마더보드와 쉽게 통합할 수 있습니다. 다른 제조사에서도 유사 또는 대체 모델이 존재할 수 있으나, 제공된 정보에는 구체적인 모델 목록이 포함되어 있지 않습니다.

전반적으로, Micron Technology의 MT41K128M8JP-125:G DDR3L SDRAM 메모리 칩은 고성능, 에너지 효율, 소형 설계로 다목적 활용이 가능한 신뢰성 높은 메모리 솔루션입니다.

MT41K128M8JP-125G 핵심 기술 특성

이 모듈은 1Gb(128M x 8) 용량의 DDR3L SDRAM으로, 800MHz 클럭 속도와 13.75ns의 낮은 액세스 시간을 제공하여 빠른 데이터 처리와 높은 시스템 효율성을 실현합니다. 작동 전압은 1.283V에서 1.45V까지로 낮은 전력 소비와 우수한 전력 관리가 가능합니다. 병렬 메모리 인터페이스를 갖추고 있어 프로세서와의 빠른 통신이 가능합니다.

MT41K128M8JP-125G 포장 크기

칩은 78-FBGA(8x11.5) 패키지로, 튜브 포장 방식으로 제공되어 적절한 보호와 편리한 취급이 가능합니다. BGA 스타일의 핀 배치는 고밀도 회로 기판 설계에 적합하며, 표면장착 방식을 채택하여 현대 전자기기와의 호환성을 높였습니다.

MT41K128M8JP-125G 적용 분야

이 메모리 모듈은 PC, 노트북, 서버 등 고속 데이터 처리와 저장이 필요한 컴퓨팅 장치뿐만 아니라 대용량 메모리 대역폭이 요구되는 임베디드 시스템에 이상적입니다. 다양한 산업 분야의 성능 향상에 기여합니다.

MT41K128M8JP-125G 특징

MT41K128M8JP-125:G는 800MHz의 DDR3L 클럭 주파수와 높은 데이터 전송 속도를 지원하는 DDR3L SDRAM입니다. 병렬 메모리 인터페이스를 통해 빠른 통신을 구현하며, 13.75ns의 낮은 액세스 타임으로 시스템 전체의 속도와 효율성을 향상시킵니다. 전원 전압 범위는 1.283V에서 1.45V로, 전력 소비를 줄이고 전력 관리 효율성을 높인 설계입니다.

MT41K128M8JP-125G 품질 및 안전 기능

엄격한 품질 기준 하에 설계된 이 제품은 습기 민감도 레벨(MSL) 3(168시간)을 준수하여 다양한 환경에서도 안정성과 내구성을 보장합니다. 무연(RoHS) 인증을 받았으며, 친환경 소재 사용으로 환경 보호에 기여합니다.

MT41K128M8JP-125G 호환성

BGA 패키지와 표면 장착 방식 덕분에 최신 고밀도 회로 기판 설계와 호환되며, 다양한 전자기기에 손쉽게 통합할 수 있어 호환성 문제가 없습니다.

MT41K128M8JP-125G 데이터시트 PDF

당사 웹사이트에서 MT41K128M8JP-125:G의 가장 권위 있고 상세한 데이터시트를 직접 다운로드하시기 바랍니다. 제품의 상세 사양과 작동 지침은 데이터시트에서 확인하실 수 있습니다.

품질 유통업체

IC-Components는 Micron Technology 제품의 프리미엄 공식 유통업체로, 신뢰할 수 있는 고품질 집적 회로 공급처입니다. 당사 웹사이트를 통해 MT41K128M8JP-125:G에 대한 견적을 바로 요청하시고, 뛰어난 서비스와 제품 전문성을 경험하시기 바랍니다.

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